答：1. 雙電容檢測(cè)(集成電路芯片)蓋上蓋與不蓋蓋測(cè)量工作點(diǎn)相差一百至二百多毫伏。

2. 單電容檢測(cè)(分離器件)蓋上蓋與不蓋蓋測(cè)量工作點(diǎn)相差幾百毫伏或者是1～2伏左右，分離器件的差異大一些。